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图19在室温下，报名针平面法测量的（A）PC/PSF32L和（B）PC/P（VDF-HFP）32L膜的介电击穿强度与PC组成的关系;（C）在室温下，报名平面法测量的PSF/PVDF30/7032L和256L薄膜的介电击穿强度的威布尔分析图;（D）厚或薄PSF层的PSF/PVDF多层薄膜的杂质离子和自由电子的界面极化示意图。图2层倍增共挤出系统的示意图：储能储（a，b）单螺杆挤出机;（c）共挤出块;（d）层倍增元素（LMEs）;（e）出口区;（f）滚动和冷却块;（g）挤出物。

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